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[반도체] 2021: 삼성향 NAND 밸류체인의 Big Cycle
20/10/12 10:11(58.121.***.119)
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2021년 반도체 업황의 주요 변수들 (Short Comment)

4 분기 DRAM 고정가격의 하락폭이 예상보다 양호할 것으로 추정되는 가운데, 당사는 시장이 반도체 업황을 보는 시각이 점점 2021 년으로 넘어갈 것으로 판단된다. 이에 따라 당사는 2021 년 반도체 산업 분석의 주요 Key Point 5 가지를 짧게 정리해보았다.

1) 삼성전자향 NAND 밸류체인의 Big Cycle 도래

당사는 2021 년 삼성전자향 NAND 밸류체인 업체들의 Big Cycle 을 예상한다. 가장 먼저 (1) 삼성전자의 NAND 2 Stacking 기술 도입으로 인해 NAND Step 수가 약 20% 가까이 증가하면서 NAND 부품 소재의 수요 증가가 구조적으로 이뤄질 것으로 보이며, (2) Kioxia 의 CAPEX 증가에 맞춰 삼성전자의 NAND CAPEX 가 2021 년 크게 증가할 것으로 판단되기 때문이다. 2020 년 삼성전자의 NAND 투자는 시안2 ph1 약 45K 수준에 그쳤다면, 2021 년은 P2 하부층와 시안2 Ph2 위주로 집행될 것으로 보이며, 약 60~80K 수준, 혹은 그 이상까지도 증가할 가능성이 있다고 판단된다.

결과적으로 이러한 부분은 삼성전자향 NAND 밸류체인에게 매우 양호한 업황을 만들어줄수 있지만, 삼성전자와 Kioxia 가 주도하는 NAND CAPEX 증가는 NAND 수급에 있어서는 부정적 영향을 줄 수 있다는 점을 동시에 고려할 필요가 있다. 2021 년 NAND 업황은 메모리 대형주에게는 부정적, 중소형주에게는 상당히 긍정적인 업황이 이뤄질 것으로 보인다.

삼성전자향 NAND 밸류체인으로는 당사가 기존 20.09.14 Over the Horizon 2 에서도 제시하였듯 부품/소재: 솔브레인(NAND Etchant, Low-K Precursor, CMP Slurry), 티씨케이(SiC Ring), 동진쎄미켐(KrF/ArF PR), 장비: 테스(ACL/ARC CVD, GPE), 피에스케이(신규 장비 New Hard Mask Strip 등), 와이아이케이(DRAM/NAND Wafer Tester)를 관심종목으로 제시한다.

2) DRAM은 CAPEX보다 Migration이 중심. DDR5와 신규 장비 및 소재에 집중

상대적으로 DRAM 은 삼성전자의 올해 하반기 예상되었던 CAPEX 가 지연되었던 점에서도 알 수 있듯, 삼성전자의 보수적인 CAPEX 기조가 당분간 이어질 것으로 보인다. NAND 에 있어서는 MS 유지 혹은 확대가 주력 목표인 것과 다르게 DRAM 은 가격 상승에 따른 이익 확보가 우선 목표이기 때문에, 삼성전자의 2021 년 DRAM 투자는 올해와 유사한 약 40~50K 수준을 예상한다. 대신에 1z 위주의 Migration 위주의 투자를 집행하는 형식을 취할 것으로 예상된다.

결과적으로, 2021 년 DRAM 업황은 메모리 대형주에게는 상당히 긍정적으로 전개될 것으로 보인다. 중소형주의 경우, DRAM 의 기술변화 3 가지 - 1a EUV, Capacitor(ALD, High-K Precursor) A/R 증가, DDR5(후공정 Test, 소켓/핀, PKG 기판) - 에 노출도가 있는 업체들에 선별적으로 집중할 필요가 있다. DRAM 은 투자보다는 Migration 과신공정 중심으로 집중한다.

DDR5 관련 밸류체인으로는 후공정 Test 장비: 유니테스트, 테크윙, 소켓/핀: ISC, PKG 기판: 심텍, DRAM 신공정 밸류체인으로는 디엔에프(Hf 계열의 신규 High-K Precursor), 이오테크닉스(1z Annealing 신규 공정)를 관심종목으로 제시한다.

3) CAPEX 방향성이 상이함에 따라, 메모리 업황은 DRAM>NAND로 진행될 것

1 번과 2 번 내용의 종합은 결국 메모리 업황 관점에서는 DRAM 이 NAND 보다 더우호적일 것임을 암시하고 있다. 2021 년 DRAM B/G 는 20% 상회, NAND 는 30%를상회할 것으로 예상되는 가운데, NAND 는 공급 증가율이 크게 올라오면서 수급 밸런스가 DRAM 보다 악화될 가능성이 있다. SK 하이닉스의 NAND BEP 진입 시점이 예상보다 빠르기 어려울 것으로 추정되는 이유가 여기에 있다.

올해의 경우 삼성전자의 시안 2 램프업이 3 분기 fully 올라오면서, 삼성향 NAND 밸류체인 업체들의 실적이 3Q QoQ 성장할 것으로 판단된다. 다음 투자로 예상되는 P2 하부층의 경우, 빠르면 올해 연말, 늦어도 내년 상반기 내로 집행될 것으로 보이며, P2 128 단 위주의 투자 집행 이후엔 96 단 위주의 시안 2 ph2 투자가 이어질 것으로 판단된다. 동시에 176 단 2 Stacking 으로의 Migration 또한 지속될 것으로 예상된다.

4) DRAM 가격의 반등 시점: MoM 으로는 1Q21, QoQ 로는 2Q21 을 예상

메모리 업황 변수에 있어 가장 중요한 DRAM 고정가격의 반등 시점은 MoM 으로는 1Q21 말, QoQ 로는 2Q21 을 예상한다. QoQ 가격의 Trend 는 4Q20 하락폭 축소 -> 1Q21 Flat -> 2Q21 가격 반등세 시작을 예상한다. 이에 따라, 주가 예측에 있어 더욱 중요한 지표인 Spot 가격의 경우, 고정가격을 3~4 개월 선행하는 특성으로 인해 2020 말~2021 초에 반등할 가능성이 높다고 판단된다.

이에 따라, 당사가 지속적으로 말해왔던 1) 4 분기 고정가격의 하락폭 둔화 가능성, 2) Spot 가격의 반등세 진입, 3) 고객사의 재고 수준의 축소 사이클 진입이 메모리 업황의 변화 trigger 가 될 것으로 판단된다. 시장 참여자 대부분이 인지하다시피, 메모리 고정가격의 반등을 확인하기 전에 Spot 가격보다 주가는 선행하거나 동행하는 특성이 존재한다. 또한 NAND 보다는 DRAM 가격의 움직임이 가장 중요한 변수라는 점을 고려할 때, 메모리 업종의 주가 반등시기는 4Q20 이 될 것으로 판단한다.

5) 비메모리 up cycle 지속. 삼성전자의 EUV 투자와 파운드리 수주 증가 지속

삼성전자 파운드리 사업부의 약진이 두드러지는 가운데, 2021 년은 추가적인 EUV 투자와 함께 파운드리 수주 움직임이 지속적으로 등장할 것으로 판단된다. 특히 4/3nm 이후부터는 EUV 의 도입이 더욱 요구되기 때문에, 삼성전자와 TSMC 를 제외한 업체들의 수주가 점점 어려워질 것으로 판단된다. 이러한 상황에서 TSMC 의 7nm, 5nm CAPA 가 21 년까지 상당부분 booking 이 완료되었기 때문에, 삼성 파운드리 관점에서는 1) 기술 진입 장벽, 2) 경쟁사의 물량 대응 여력 측면에서 모두 긍정적인 상황이 전개되고 있다. 이에 따라 삼성향 비메모리 노출도가 있는 업종들의 실적 개선은 지속될 것으로 판단한다, (EUV, OSAT, 디자인 하우스 등) 당사는 이 중에서 OSAT 부분의 High-end PKG 기술 변화(3D Packaging, FOPLP)에 보다 주목한다.

결론적으로 2021 년은 1) 삼성향 NAND 밸류체인의 Big Cycle(2 Stacking & CAPEX), 2) DRAM 은 신공정(EUV, High-K, DDR5) 위주, 3) 비메모리 는 EUV 와 High-end PKG 기술의 진화가 본격화되는 시기가 될 것이며, 4) DRAM 가격 반등은 1Q21 말부터 시작되며, 5) 가격 상승은 DRAM > NAND 가 될 것으로 판단된다.

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