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[반도체산업] TSMC가 3D SoIC를 위해 일본에 투자
21/02/15 08:45(180.71.***.10)
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TSMC의 일본 투자 목적은 3D SoIC를 위한 소재 개발. 소재 기술력이 높은 일본에 연구소를 설립해 여러 기업들과 시너지를 내는 것이 목적. TSMC가 2022년 이후 성장 동력 중 하나로 3D SoIC를 강조


TSMC의 일본 투자 목적은 3D SoIC를 위한 소재 개발

TSMC가 일본에 186억엔을 투자해 설립하기로 한 연구소의 주요 연구 과제가 3D SoIC를 위한 소재 개발로 밝혀짐. 소재 기술력이 높은 일본에 연구소를 설립해 다양한 일본의 소재 기업들과 시너지를 내기 위함이 투자의 목적. TSMC는 2022년 이후 성장 동력을 3D SoIC로 제시하고 이를 위한 2개의 후공정 팹을 건설 중. 이 중 한 곳은 2021년 하반기 완공 예정

3D SoIC는 하이브리드 본딩이라는 후공정 기술이 핵심. 하이브리드 본딩을 통해 기존보다 1/4 수준으로 줄어드는 10?m 이하 본딩 피치 구현이 가능. 기존 대비 20배의 에너지 효율을 통해 10배 이상의 반도체 간 통신 속도 증가가 가능. 3D SoIC는 HPC(High Performance Computing)을 위한 반도체에 우선 적용될 것으로 예상

관련업체: 한미반도체, 파크시스템스, 이오테크닉스

하이브리드 본딩은 웨이퍼 위에 비아 패턴을 에칭하고 구리를 증착해서 전극을 형성. 계측이 끝난 웨이퍼에 노출된 구리 전극을 통해 두 개의 다이를 서로 붙여 3D 패키지를 형성. TSMC 외에도 인텔, 삼성전자도 관련 기술을 개발 중. 향후 투자가 활발해질 것으로 예상. 국내 관련 반도체 장비 업체로 한미반도체, 파크시스템스, 이오테크닉스 등이 있음

한편 ASM Pacific Technology와 EV Group이 다이-웨이퍼 하이브리드 본딩 기술 공동 개발을 위한 계약을 체결. ASM이 다이 본딩 기능을 위한 기술을 개발. EVG가 다이 대 웨이퍼 본딩을 위한 기술을 개발. 하이브리드 본딩은 기술의 특성 상 전공정과 후공정, 장비와 패키지 등 여러 영역의 회사들의 협업이 중요

NH 도현우
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