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■ TSMC 보고 있나? 바이든 앞 GAA 3나노 뽐낸 삼성전자(우) -->급등 신호!
- 양국 정상, 종이 대신 웨이퍼에 서명: 삼성전자 반도체 기술력 전 세계 홍보 효과
- GAA 공정 도입으로 업계 선두 TSMC 맹추격: 3나노 세계 최초 양산 성공!
조 바이든 미국 대통령이 한국 찾자마자 윤석열 대통령과 함께 삼성전자 평택캠퍼스 방문
두 정상은 종이 방명록에 관례를 깨고 3나노미터 반도체 웨이퍼에 서명을 하는 파격 연출
미래 경제안보 핵심인 반도체분야에서 한미 양국이 굳건한 동맹국이라는 점을 강조함과
동시에 삼성전자의 반도체 기술력이 전 세계에 홍보가 됐다는 평가
◆ 삼성전자가 3나노 웨이퍼 내놓은 이유?
삼성전자는 바이든 대통령에게 곧 양산에 돌입하는 차세대 '게이트올어라운드'(GAA)
기반의 세계 최초 3나노 반도체 시제품을 소개했다. 이 과정에서 두 정상은 종이 대신
나노 반도체 웨이퍼에 서명을 해 한미 경제 안보 동맹에 방점을 찍었다는 평가가 나옴
파운드리 업체 중 10나노 미만의 미세공정 기술력을 갖춘 기업은 삼성전자와 TSMC뿐
3나노에선 GAA를 도입한 삼성전자가 TSMC보다 반 년 정도 앞선 것으로 알려져 있다
TSMC는 3나노 공정에도 기존의 핀펫 기술을 적용했다
◆ 윤 대통령 "한국 반도체의 심장인 삼성전자 평택캠퍼스 방문 감사"
미국은 반도체 연구개발, 설계, 장비에서 선두주자이지만 생산시설이 부족하다
이에 한국과 대만 등 세계 반도체 생산을 주도하는 우방국과 함께 안정적인 반도체
공급망을 구축하고 중국의 추격을 견제하려는 구상을 세웠다
★ 출처: 강경주 한경닷컴 기자
